Лукичев, Владимир Фёдорович — различия между версиями
Adm (обсуждение | вклад) (→Биография) |
Adm (обсуждение | вклад) |
||
Строка 13: | Строка 13: | ||
Занимается исследованиями в областях физики, математики, нанотехнологий. Известен как специализируется в области элементной базы вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем.<ref>[http://isaran.ru/?q=ru%2Fperson&guid=7EAE93CB-DD1B-F0B9-F976-5D799158E28E Лукичев Владимир Федорович — Архивы РАН]</ref> | Занимается исследованиями в областях физики, математики, нанотехнологий. Известен как специализируется в области элементной базы вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем.<ref>[http://isaran.ru/?q=ru%2Fperson&guid=7EAE93CB-DD1B-F0B9-F976-5D799158E28E Лукичев Владимир Федорович — Архивы РАН]</ref> | ||
+ | |||
== Биография == | == Биография == | ||
Владимир Фёдорович Лукичев родился 12 ноября 1954 года. | Владимир Фёдорович Лукичев родился 12 ноября 1954 года. | ||
Строка 27: | Строка 28: | ||
В 2005 году в ФТИ им. А. Ф. Иоффе становится заместителем директора по научной работе. | В 2005 году в ФТИ им. А. Ф. Иоффе становится заместителем директора по научной работе. | ||
+ | == Научные результаты == | ||
+ | Владимиру Фёдоровичу Лукичеву удалось получить граничные условия (условия Куприянова-Лукичева) для квазиклассических неравновесных функций Грина. Их обобщение позволяет рассчитать параметры структур на основе высокотемпературных сверхпроводников, джозефсоновских переходов с прослойкой из ферромагнетиков, многозонных сверхпроводников — например, MgB2. | ||
+ | |||
+ | В области нанотехнологий В. Ф. Лукичёв разработал многокомпонентную модель реактивного ионного травления (РИТ) кремниевых микро- и наноструктур. Лукичёв исследовал предельные возможности РИТ, ограниченные апертурным эффектом, действием краевых полей и силами изображения. | ||
+ | |||
+ | Кроме того, Владимир Фёдорович дал теоретическое обоснование апертурного эффекта и предсказал обратный апертурный эффект в процессах реактивного ионного травления. Эти данные используются в проектировании интегральных схем. | ||
+ | == Публикации == | ||
== Примечания == | == Примечания == |
Версия 12:52, 17 июня 2021
Владимир Фёдорович Лукичев | |
---|---|
Дата рождения | 12.11.1954 |
Род деятельности | физик |
Место преподавания | МИРЭА |
Alma mater | МГУ |
Учёная степень | доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН |
Владимир Фёдорович Лукичев (род. 12 ноября 1954) — российский и советский деятель науки. Доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН.
Занимается исследованиями в областях физики, математики, нанотехнологий. Известен как специализируется в области элементной базы вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем.[1]
Биография
Владимир Фёдорович Лукичев родился 12 ноября 1954 года.
Начальное образование получил в физико-математической школе-интернате №18 имени А.Н.Колмогорова при Ленинградском университете, из которой выпустился в 1972 году.
Поступил в Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, где обучался на физическом факультете. Окончил МГУ в 1978 году.
В 1983 году В. Ф. Лукичев защитил диссертацию, стал кандидатом физико-математических наук.
В 1988 году поступает на работу в Ленинградский физико-технический институт (ЛФТИ) имени А. Ф. Иоффе (ныне — Физико-технический институт (ФТИ) имени А. Ф. Иоффе РАН).
В 1997 году Лукичев становится доктором физико-математических наук.
В 2005 году в ФТИ им. А. Ф. Иоффе становится заместителем директора по научной работе.
Научные результаты
Владимиру Фёдоровичу Лукичеву удалось получить граничные условия (условия Куприянова-Лукичева) для квазиклассических неравновесных функций Грина. Их обобщение позволяет рассчитать параметры структур на основе высокотемпературных сверхпроводников, джозефсоновских переходов с прослойкой из ферромагнетиков, многозонных сверхпроводников — например, MgB2.
В области нанотехнологий В. Ф. Лукичёв разработал многокомпонентную модель реактивного ионного травления (РИТ) кремниевых микро- и наноструктур. Лукичёв исследовал предельные возможности РИТ, ограниченные апертурным эффектом, действием краевых полей и силами изображения.
Кроме того, Владимир Фёдорович дал теоретическое обоснование апертурного эффекта и предсказал обратный апертурный эффект в процессах реактивного ионного травления. Эти данные используются в проектировании интегральных схем.