Лукичев, Владимир Фёдорович — различия между версиями
Adm (обсуждение | вклад) (→Научные результаты) |
Adm (обсуждение | вклад) (→Научные результаты) |
||
| Строка 37: | Строка 37: | ||
В. Ф. Лукичев оптимизировал параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, на практике данные результаты используются при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для навигационных систем, использующихся авиации. | В. Ф. Лукичев оптимизировал параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, на практике данные результаты используются при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для навигационных систем, использующихся авиации. | ||
| − | В. Ф. Лукичев разработал модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих электронно-дырочных переходов (p-n-переходов). Модель Лукичева позволяет получить p-n-переходы с глубиной залегания до 10 нанометров, | + | В. Ф. Лукичев разработал модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих электронно-дырочных переходов (p-n-переходов). Модель Лукичева позволяет получить p-n-переходы с глубиной залегания до 10 нанометров, которые на практике используются при создании кремниевых нанотранзисторов и твердотельных квантовых компьютеров. |
== Публикации == | == Публикации == | ||
Версия 12:59, 17 июня 2021
| Владимир Фёдорович Лукичев | |
|---|---|
 | |
| Дата рождения | 12.11.1954 |
| Род деятельности | физик |
| Место преподавания | МИРЭА |
| Alma mater | МГУ |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН |
Владимир Фёдорович Лукичев (род. 12 ноября 1954) — российский и советский деятель науки. Доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН.
Занимается исследованиями в областях физики, математики, нанотехнологий. Известен как специализируется в области элементной базы вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем.[1]
Биография
Владимир Фёдорович Лукичев родился 12 ноября 1954 года.
Начальное образование получил в физико-математической школе-интернате №18 имени А.Н.Колмогорова при Ленинградском университете, из которой выпустился в 1972 году.
Поступил в Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, где обучался на физическом факультете. Окончил МГУ в 1978 году.
В 1983 году В. Ф. Лукичев защитил диссертацию, стал кандидатом физико-математических наук.
В 1988 году поступает на работу в Ленинградский физико-технический институт (ЛФТИ) имени А. Ф. Иоффе (ныне — Физико-технический институт (ФТИ) имени А. Ф. Иоффе РАН).
В 1997 году Лукичев становится доктором физико-математических наук.
В 2005 году в ФТИ им. А. Ф. Иоффе становится заместителем директора по научной работе.
Научные результаты
Владимиру Фёдоровичу Лукичеву удалось получить граничные условия (условия Куприянова-Лукичева) для квазиклассических неравновесных функций Грина. Их обобщение позволяет рассчитать параметры структур на основе высокотемпературных сверхпроводников, джозефсоновских переходов с прослойкой из ферромагнетиков, многозонных сверхпроводников — например, MgB2.
В области нанотехнологий В. Ф. Лукичёв разработал многокомпонентную модель реактивного ионного травления (РИТ) кремниевых микро- и наноструктур. Лукичёв исследовал предельные возможности РИТ, ограниченные апертурным эффектом, действием краевых полей и силами изображения.
Кроме того, Владимир Фёдорович дал теоретическое обоснование апертурного эффекта и предсказал обратный апертурный эффект в процессах реактивного ионного травления. Эти данные используются на практике в проектировании интегральных схем.
В. Ф. Лукичев оптимизировал параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, на практике данные результаты используются при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для навигационных систем, использующихся авиации.
В. Ф. Лукичев разработал модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих электронно-дырочных переходов (p-n-переходов). Модель Лукичева позволяет получить p-n-переходы с глубиной залегания до 10 нанометров, которые на практике используются при создании кремниевых нанотранзисторов и твердотельных квантовых компьютеров.
