Редактирование: Лукичев, Владимир Фёдорович
Внимание! Вы не авторизовались на сайте. Ваш IP-адрес будет публично видимым, если вы будете вносить любые правки. Если вы войдёте или создадите учётную запись, правки вместо этого будут связаны с вашим именем пользователя, а также у вас появятся другие преимущества.
Правка может быть отменена. Пожалуйста, просмотрите сравнение версий, чтобы убедиться, что это именно те изменения, которые вас интересуют, и нажмите «Записать страницу», чтобы изменения вступили в силу.
Текущая версия | Ваш текст | ||
Строка 46: | Строка 46: | ||
В. Ф. Лукичев оптимизировал параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, на практике данные результаты используются при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для навигационных систем, использующихся авиации. | В. Ф. Лукичев оптимизировал параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, на практике данные результаты используются при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для навигационных систем, использующихся авиации. | ||
− | В. Ф. Лукичев разработал модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих электронно-дырочных переходов (p-n-переходов). Модель Лукичева позволяет получить p-n-переходы с глубиной залегания до 10 нанометров, | + | В. Ф. Лукичев разработал модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих электронно-дырочных переходов (p-n-переходов). Модель Лукичева позволяет получить p-n-переходы с глубиной залегания до 10 нанометров, что требуется для создания кремниевых нанотранзисторов и твердотельных квантовых компьютеров. |
== Публикации == | == Публикации == |