Филачев, Анатолий Михайлович
| Анатолий Михайлович Филачев | |
|---|---|
 | |
| Дата рождения | 22.2.1950 |
| Место рождения | Березань, Киевская область |
| Род деятельности | учёный |
| Место работы | НПО «Орион» |
| Место преподавания | МИРЭА, МИЭТ |
| Alma mater | МФТИ |
| Учёная степень | член-корреспондент РАН, доктор технических наук, профессор |
| Награды и премии |   |
Анатолий Михайлович Филачев (род. 22 февраля 1950, Березань, Киевская область, УССР) — российский и советский деятель науки. Член-корреспондент РАН, доктор технических наук, профессор. Является специалистом в области информационных систем и элементной базы оптоэлектроники, тепловидения и теплопеленгации, электронной оптики.
К основным научным результатам А.М. Филачева относятся[1]:
- разработка фундаментальных физико-технологические основ элементной базы современной оптоэлектроники, цифровой обработки информационных сигналов фотоприёмников на основе моноатомных, бинарных и тройных полупроводников
- разработка технологии, физических моделей и метрологическаой база оптоэлектроники и инфракрасной техники, в том числе для фотоэлектронных комплексов сверхдальней теплопеленгации из космоса
- разработка матричных фотоприемных устройств для тепловидения, сверхбыстродействующих фотоприёмников для лазерной локации и наведения
- разработка фундаментальных физико-технологических и теоретических основ современной элионной техники, позволивших создать необходимый инструментарий расчёта и конструирования элионного и плазменного оборудования для микрофотоэлектроники.
Биография
Анатолий Михайлович Филачев родился 22 февраля 1950 в городе Березань, Киевская область, Украинская ССР.
Высшее образование получил в Московском физико-техническом институте, где обучался на факультете физической и квантовой электроники. Окончил МФТИ в 1973 году.
В 1980 году А. М. Филачев стал кандидатом наук, защитив диссертацию по теме «Исследование электрофизических характеристик полупроводника вблизи границы раздела диэлектрик-полупроводник методом переноса заряда».
В 1997 году А. М. Филачев получил степень доктора технических наук, тема диссертации: «Исследование и моделирование процессов формирования электронных пучков и их взаимодействия с поверхностью твердых тел как основа разработки прецизионного электронно-лучевого технологического оборудования».
В 1998 году становится профессором.
