Филачев, Анатолий Михайлович
Анатолий Михайлович Филачев | |
---|---|
Дата рождения | 22.2.1950 |
Место рождения | Березань, Киевская область |
Род деятельности | учёный |
Место работы | НПО «Орион» |
Место преподавания | МИРЭА, МИЭТ |
Alma mater | МФТИ |
Учёная степень | член-корреспондент РАН, доктор технических наук, профессор |
Награды и премии |
Анатолий Михайлович Филачев (род. 22 февраля 1950, Березань, Киевская область, УССР) — российский и советский деятель науки. Член-корреспондент РАН, доктор технических наук, профессор. Является специалистом в области информационных систем и элементной базы оптоэлектроники, тепловидения и теплопеленгации, электронной оптики.
К основным научным результатам А.М. Филачева относятся[1]:
- разработка фундаментальных физико-технологические основ элементной базы современной оптоэлектроники, цифровой обработки информационных сигналов фотоприёмников на основе моноатомных, бинарных и тройных полупроводников
- разработка технологии, физических моделей и метрологическаой база оптоэлектроники и инфракрасной техники, в том числе для фотоэлектронных комплексов сверхдальней теплопеленгации из космоса
- разработка матричных фотоприемных устройств для тепловидения, сверхбыстродействующих фотоприёмников для лазерной локации и наведения
- разработка фундаментальных физико-технологических и теоретических основ современной элионной техники, позволивших создать необходимый инструментарий расчёта и конструирования элионного и плазменного оборудования для микрофотоэлектроники.
Содержание
Биография
Анатолий Михайлович Филачев родился 22 февраля 1950 в городе Березань, Киевская область, Украинская ССР.
Высшее образование получил в Московском физико-техническом институте, где обучался на факультете физической и квантовой электроники. Окончил МФТИ в 1973 году. После этого поступи на работу в НИИ физических проблем НПО «Научный Центр» МЭП СССР, где трудился до 1982 года.
В 1980 году А. М. Филачев стал кандидатом наук, защитив диссертацию по теме «Исследование электрофизических характеристик полупроводника вблизи границы раздела диэлектрик-полупроводник методом переноса заряда».
В 1982 году начинает работать в Московском филиале НИИ «Фонон» МЭП СССР, где является заместителем директора по науке — главным инженером.
В 1985 году А. М. Филачев становится директором НИИ электронной и ионной оптики.
В 1997 году А. М. Филачев получил степень доктора технических наук, тема диссертации: «Исследование и моделирование процессов формирования электронных пучков и их взаимодействия с поверхностью твердых тел как основа разработки прецизионного электронно-лучевого технологического оборудования».
В 1998 году становится профессором.
В 2008 году Анатолий Михайлович Филачев был избран членом-корреспондентом Российской Академии наук по Отделению нанотехнологий и информационных технологий (Секция вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем и элементной базы).
В 1997—2016 А. М. Филачев занимал должность директора Федерального государственного унитарного предприятия Научно-производственное объединение «Орион» (ФГУП НПО «Орион»).
Кроме того, Анатолий Михайлович занимается преподавательской деятельностью. Заведует кафедрами в МИРЭА и МИЭТ (Московском институте электронной техники).
А. М. Филачев является главным редактором журнала «Прикладная физика». Является членом Совета генеральных и главных конструкторов, ведущих учёных и специалистов в области высокотехнологических секторов экономики при Председателе Правительства РФ. С 2008 по 2012 годы входил в Совет при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию. Является председателем докторского диссертационного совета, в прошлом также являлся председателем Совета Российского отделения Международного общества по оптической технике SPIE.
Награды
Анатолий Михайлович Филачев носит почётное звание Заслуженный деятель науки Российской Федерации. В 2014 году был награждён Премией Правительства Российской Федерации в области образования за разработку и внедрение образовательной системы подготовки высококвалифицированных кадров по оптоэлектронике.[2]