Редактирование: Горнев, Евгений Сергеевич
Внимание! Вы не авторизовались на сайте. Ваш IP-адрес будет публично видимым, если вы будете вносить любые правки. Если вы войдёте или создадите учётную запись, правки вместо этого будут связаны с вашим именем пользователя, а также у вас появятся другие преимущества.
Правка может быть отменена. Пожалуйста, просмотрите сравнение версий, чтобы убедиться, что это именно те изменения, которые вас интересуют, и нажмите «Записать страницу», чтобы изменения вступили в силу.
Текущая версия | Ваш текст | ||
Строка 19: | Строка 19: | ||
Евгений Сергеевич Горнев родился 4 августа 1943 года. Поступил в [[Харьковский государственный университет]], где обучался на радиофизическом факультете. Окончил его в 1966 году. | Евгений Сергеевич Горнев родился 4 августа 1943 года. Поступил в [[Харьковский государственный университет]], где обучался на радиофизическом факультете. Окончил его в 1966 году. | ||
− | В феврале 1966 года стал сотрудником НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ) в | + | В феврале 1966 года стал сотрудником НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ) в [[Зеленоград]]е, [[Москва]]. Трудился в коллективе, который годом позже разработал интегральную микросхему токового ключа «Иртыш» (101КП1). |
В НИИМЭ Е.С. Горнев работал инженером, затем — старшим инженером, руководителем группы, начальником отделения, заместителем главного инженера, главным инженером завода и, наконец, первым заместителем директора НИИ. Впоследствии занял должность заместителя руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям. В общей сложности Евгений Сергеевич трудился более 40 лет в данном НИИ. | В НИИМЭ Е.С. Горнев работал инженером, затем — старшим инженером, руководителем группы, начальником отделения, заместителем главного инженера, главным инженером завода и, наконец, первым заместителем директора НИИ. Впоследствии занял должность заместителя руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям. В общей сложности Евгений Сергеевич трудился более 40 лет в данном НИИ. |