Горнев, Евгений Сергеевич
| Евгений Сергеевич Горнев | |
|---|---|
 | |
| Дата рождения | 4.8.1943 |
| Род деятельности | физик |
| Место преподавания | МФТИ, МИЭТ, МИРЭА |
| Alma mater | Харьковский государственный университет |
| Учёная степень | член-корреспондент РАН, доктор технических наук, профессор |
| Награды и премии |     |
Евгений Сергеевич Горнев (род. 4 августа 1943 года) — советский и российский деятель науки, физик. Член-корреспондент РАН, доктор технических наук, профессор.
Содержание
Биография
Евгений Сергеевич Горнев родился 4 августа 1943 года. Поступил в Харьковский государственный университет, где обучался на радиофизическом факультете. Окончил его в 1966 году.
В феврале 1966 года стал сотрудником НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ) в Зеленограде, Москва. Трудился в коллективе, который годом позже разработал интегральную микросхему токового ключа «Иртыш» (101КП1).
В НИИМЭ Е.С. Горнев работал инженером, затем — старшим инженером, руководителем группы, начальником отделения, заместителем главного инженера, главным инженером завода и, наконец, первым заместителем директора НИИ. В общей сложности Евгений Сергеевич трудился более 40 лет в данном НИИ.
Помимо НИИМЭ, Е.С. Горнев 8 лет проработал в НИИ «Элпа» и более 4 лет в НИИ «Субмикрон».
Прочее
Является членом общественной организации Академия инженерных наук им. А.М. Прохорова (АИН).[1]
Награды
Е. С. Горнев — лауреат многих наград и премий, в числе которых — Орден Дружбы народов (награждён в 1982 году) и Государственная премия СССР (присуждена в 1986 году). Е. С. Горнев дважды награждён премией Правительства РФ в области науки и техники — в 2004 и 2019 годах.
В 2009 году награждён знаком отличия «За наставничество».[2]
Также Горнев является обладателем медали международного смотра НТТМ, нагрудного знака «Почетный работник электронной промышленности», нагрудного знака «Отличник соцсоревнования электронной промышленности» и медали лауреата Всероссийского конкурса «Инженер года» 2001.
