Филачев, Анатолий Михайлович

Материал из ВикиМИРЭА
Перейти к: навигация, поиск
Анатолий Михайлович Филачев
Анатолий Михайлович Филачев.jpg
Дата рождения22.2.1950
Место рожденияБерезань, Киевская область
Род деятельностиучёный
Место работыНПО «Орион»
Место преподаванияМИРЭА, МИЭТ
Alma materМФТИ
Учёная степеньчлен-корреспондент РАН, доктор технических наук, профессор
Награды и премииПремия Правительства Российской Федерации в области образования — 2014 Заслуженные деятели науки Российской Федерации

Анатолий Михайлович Филачев (род. 22 февраля 1950, Березань, Киевская область, УССР) — российский и советский деятель науки. Член-корреспондент РАН, доктор технических наук, профессор. Является специалистом в области информационных систем и элементной базы оптоэлектроники, тепловидения и теплопеленгации, электронной оптики.

К основным научным результатам А.М. Филачева относятся[1]:

  • разработка фундаментальных физико-технологические основ элементной базы современной оптоэлектроники, цифровой обработки информационных сигналов фотоприёмников на основе моноатомных, бинарных и тройных полупроводников
  • разработка технологии, физических моделей и метрологическаой база оптоэлектроники и инфракрасной техники, в том числе для фотоэлектронных комплексов сверхдальней теплопеленгации из космоса
  • разработка матричных фотоприемных устройств для тепловидения, сверхбыстродействующих фотоприёмников для лазерной локации и наведения
  • разработка фундаментальных физико-технологических и теоретических основ современной элионной техники, позволивших создать необходимый инструментарий расчёта и конструирования элионного и плазменного оборудования для микрофотоэлектроники.

Биография

Анатолий Михайлович Филачев родился 22 февраля 1950 в городе Березань, Киевская область, Украинская ССР.

Высшее образование получил в Московском физико-техническом институте, где обучался на факультете физической и квантовой электроники. Окончил МФТИ в 1973 году.

В 1980 году А. М. Филачев стал кандидатом наук, защитив диссертацию по теме «Исследование электрофизических характеристик полупроводника вблизи границы раздела диэлектрик-полупроводник методом переноса заряда».

Примечания

Ссылки